圖1中，無線電波能夠傳播的GaN HEMT功率放大器的一些輸入功率會轉化成熱量，然后分散到SiC沉底。碳化硅由于提高雷達和無線通信的射程和功率也增加了器件產生的熱量，這對其性能和可靠性產生不利影。

　　使用這種技術散熱可以高效率地冷卻高功率氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)，從而使功率放大器在高功率水平下穩(wěn)定工作。

　　近年來，高頻GaN-HEMT功率放大器已被廣泛用于雷達和無線通信等遠程無線電領域，距離將增大，碳化硅預計還將用于天氣雷達觀測局部暴雨，或者即將出現(xiàn)的5G毫米波段移動通信協(xié)議。對于這些使用微波到毫米波頻段雷達或無線通信系統(tǒng)，碳化硅碳化硅通過提高用于傳輸的GaN-HEMT功率放大器的輸出功率，無線電波能夠傳播的距離將增大，可擴展雷達觀測范圍，實現(xiàn)更遠和更高容量的通信。

　　12月6日至9日美國加利福尼亞州的IEEE半導體接口專家會議(SISC2017)上，日本富士通及其子富士通實驗室(Fujitsu Laboratories Ltd)介紹了據稱是第一個室溫下實現(xiàn)單晶金剛石和碳化硅(SiC)襯底焊接，關鍵是這兩者都是硬質材料，但具有不同的熱膨脹系數。